Компоненты группы Память

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Организация: Слов (K)
Организация: Разрядов (бит)
VCC (В) От до
TA (°C) От до
Корпус

    Важно!

Имейте в виду, что при выборе Группы компонентов вам будет доступно больше параметров для поиска

Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Организация VCC
В
TA
°C
Корпус
Слов
K
Разрядов
бит
                   
AT45DB642D 64 Мбит, последовательная Flash память серии DataFlash®, напряжение питания 2,7 В, двойной (последовательный/параллельный) интерфейс Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-24
TSSOP-28
CASON-8
TSOP-28
M45PE16 16Мб, 75МГц постраничностираемая, побайтноизменяемая последовательная Flash память с интерфейсом SPI Numonyx Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
VFQFPN-8
AT45DB011D 2.7 В, 1 Мбит, последовательная Flash память семейства DataFlash® Adesto Technologies Serial Flash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
1645РК2Т Микросхема двухпортового статического ОЗУ емкостью 16К (2Кх8) бит Миландр Синхронная FIFO
- 8 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4134.48-2
K9F2G08R0A 2 Гбит (256М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
IDT7200L20J Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 PLCC-32
KFH1G16Q2M 1Гб (64М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
TC58NVG0S3CTA00 128М х 8 бит NAND FLASH Toshiba NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
CY7C4261-10JXI Синхронная FIFO организацией 16K x 9, 10 нс, -40°C...+85°C Cypress Синхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -40 ... 85 PLCC-32
NAND02GR3B2C 2Гбит 1.8-вольтовая 8-битная NAND Flash Numonyx NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -40 ... 85 FBGA-63
HY27US16122B 512 Мбит (32М х 16 бит) NAND Flash Hynix NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 0 ... 70 TSOPI-48
IDT72V06L25J 3.3-вольтовая асинхронная FIFO организацией 16K x 9, 25 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 3 ... 3.6 0 ... 70 PLCC-32
KFH4G16Q2M 4Гб (256М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 1.7 ... 1.95 -30 ... 85 FBGA-63
AT25DL161 16 Мбит последовательная Flash-память с интерфейсом SPI, минимальное напряжение питания 1.65 В, поблочное стирание (4 Кбайт, 32 Кбайт или 64 Кбайт), побайтовая или постраничная (256 байт) запись, функция записи/считывания двух бит за один такт Adesto Technologies Serial Flash
- 8 1.65 ... 1.95 -40 ... 85 SOIC-8
UDFN-8
WLCSP-8
AT45DB021B 2 Мбит 2.7-вольтовая ИС Flash памяти семейства DataFlash® Atmel Corporation DataFlash
- 8 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 SOIC-28
SOIC-8
CBGA 9 (3x3)
TSOP28
1645РГ1Т Двухпортовое СОЗУ типа FIFO 144 Кбит (16Кх9) Миландр Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 -60 ... 125 4119.28-6
K9F1G08U0B 1 Гбит (128М х 8 бит) NAND Flash Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 TSOPI-48
IDT7200L20SO Асинхронная FIFO организацией 256 x 9, 20 нс, 0°C...+70°C IDT Асинхронная FIFO
- 9 4.5 ... 5.5 0 ... 70 SOIC-28
KFG1216U2M 512Мб (32М х 16 бит) OneNAND Flash память Samsung Electronics NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 FBGA-63
S34SL04G2 Защищенная NAND FLASH память объемом 4 Гбит с увеличенным числом циклов перезаписи Cypress NAND Flash
- - 2.7 ... 3.6 -40 ... 85 BGA-63
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 60 следующая


подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Мероприятия:
XV Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-2015
Международная выставка компонентов
и систем силовой электроники
XI Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА?Урал 2015
Международная специализированная выставка
«Электроника—Урал 2015»
Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих