Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTV02N250S Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 450000 450000 450000 450000 450000 0.2 57 PLUS220SMD
IXTH02N250 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 450000 450000 450000 450000 450000 0.2 57 TO-247
IXTF03N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
N 1 4000 300000 300000 300000 300000 300000 0.3 70 ISOPLUS_i4
IXTV03N400S N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
N 1 4000 290000 290000 290000 290000 290000 0.3 130 PLUS220SMD
IXTH03N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
N 1 4000 290000 290000 290000 290000 290000 0.3 130 TO-247
ZVP0545G SOT223 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -450 - - - - 150000 -0.075 2 SOT-223-4
ZVP0545A P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -450 - - - - 150000 -0.045 0.7 TO-92
IXTY01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-252
IXTU01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-251
IXTP01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-220
ZVP1320F SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
P 1 -200 - - - - 80000 -0.035 0.33 SOT-23-3
IXTY01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-252 AA
IXTU01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-251 AA
IXTP02N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 75000 75000 75000 75000 75000 0.2 33 TO-220
IXTY02N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 75000 75000 75000 75000 75000 0.2 33 TO-252
IXTF1N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 1 А IXYS MOSFET
N 1 4000 60000 60000 60000 60000 60000 1 160 ISOPLUS_i4
ZVN0545G SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 450 - - - - 50000 0.14 0.002 SOT-223-4
ZVN0545A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 400 - - - - 50000 0.09 0.7 TO-92
ZVN0540A N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Zetex MOSFET
N 1 400 - - - - 50000 0.09 0.7 TO-92
ZXMN0545G4 450V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Zetex MOSFET
N 1 450 - - - - 50000 0.14 2 SOT-223-4
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая


подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Мероприятия:
XV Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-2015
Международная выставка компонентов
и систем силовой электроники
XI Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА?Урал 2015
Международная специализированная выставка
«Электроника—Урал 2015»
Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих