Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTV02N250S Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 450000 450000 450000 450000 450000 0.2 57 PLUS220SMD
IXTH02N250 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 450000 450000 450000 450000 450000 0.2 57 TO-247
IXTF03N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
N 1 4000 300000 300000 300000 300000 300000 0.3 70 ISOPLUS_i4
IXTV03N400S N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
N 1 4000 290000 290000 290000 290000 290000 0.3 130 PLUS220SMD
IXTH03N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
N 1 4000 290000 290000 290000 290000 290000 0.3 130 TO-247
IXTY01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-252
IXTU01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-251
IXTP01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-220
IXTY01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-252 AA
IXTU01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-251 AA
IXTP02N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 75000 75000 75000 75000 75000 0.2 33 TO-220
IXTY02N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 75000 75000 75000 75000 75000 0.2 33 TO-252
IXTF1N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 1 А IXYS MOSFET
N 1 4000 60000 60000 60000 60000 60000 1 160 ISOPLUS_i4
IXTY01N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 50000 50000 50000 50000 50000 100 25 TO-252 AA
IXTU01N80 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 50000 50000 50000 50000 50000 100 25 TO-251 AA
IXTF1N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 40000 40000 40000 40000 40000 1 110 ISOPLUS_i4
IXTH1N250 Высоковольтный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 40000 40000 40000 40000 40000 1.5 250 TO-247AD
IXTP06N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 34000 34000 34000 34000 34000 0.6 42 TO-220
IXTA06N120P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 34000 34000 34000 34000 34000 0.6 42 TO-263
IXTA05N100P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 30000 30000 30000 30000 30000 0.5 50 TO-263
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая


подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Мероприятия:
XV Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-2015
Международная выставка компонентов
и систем силовой электроники
XI Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА?Урал 2015
Международная специализированная выставка
«Электроника—Урал 2015»
Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих