Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
SiC779 Интегральная схема DrMOS с рабочим током 40 А в конфигурации полу-мост Vishay MOSFET
Драйверы IGBT/MOSFET
N 1 - - - - - - - 25 -
powerSTEP01 Микросхема функциональной Системы-в-Корпусе (SiP) на базе восьми N-канальных MOSFET транзисторов и программируемого контроллера с интерфейсом SPI STMicroelectronics MOSFET
N 8 - - - - - 21 10 - VFQFPN-8
MAX15025B 16нс, двухканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 2 - - - - - - 8 - TDFN-10
MAX15025A 16нс, двухканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 2 - - - - - - 8 - TDFN-10
MAX15024B 16нс, одноканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 1 - - - - - - 8 - TDFN-10
MAX15024A 16нс, одноканальные драйверы транзисторов MOSFET с высоким номиналом входного и выходного тока, регулируемым стабилизатором со сверхнизким падением напряжения в корпусе TDFN Maxim Integrated Ключи и драйверы
MOSFET
- 1 - - - - - - 8 - TDFN-10
IXTN32P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -600 350 350 350 350 350 -32 890 SOT-227
IXTX32P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -600 350 350 350 350 350 -32 890 PLUS247
IXTK32P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -600 350 350 350 350 350 -32 890 TO-264
IXTR32P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -600 385 385 385 385 385 -18 310 ISOPLUS247
IXTT16P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -600 720 720 720 720 720 -16 460 TO-268
IXTH16P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -600 720 720 720 720 720 -16 460 TO-247
IXTR16P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -600 790 790 790 790 790 -10 190 ISOPLUS247
IXTH10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -600 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-247AD
IXTT10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
N 1 -600 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-268
IXTR40P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 260 260 260 260 260 -22 312 ISOPLUS247
IXTT20P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 450 450 450 450 450 -20 462 TO-268
IXTH20P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 450 450 450 450 450 -20 462 TO-247
IXTR20P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 490 490 490 490 490 -13 190 ISOPLUS247
IXTT11P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 750 750 750 750 750 -11 300 TO-268
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая


подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Мероприятия:
XV Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-2015
Международная выставка компонентов
и систем силовой электроники
XI Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА?Урал 2015
Международная специализированная выставка
«Электроника—Урал 2015»
Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих