Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
CSD75205W1015 Сдвоенный P-канальный силовой MOSFET NexFET™ с общим истоком Texas Instruments MOSFET
P 2 -20 145 - - 95 - -1.2 0.75 WLP-6
EFC6601R Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET-транзистор на 24 В / 13 А / 11.5 мОм, для схем коммутации нагрузки в устройствах заряда/разряда Li-ion аккумуляторных батарей ON Semiconductor MOSFET
N 2 24 - 17 - 11.5 - 13 2 WLCSP-6
EFC6602R Сдвоенный N-канальный силовой MOSFET-транзистор на 12 В / 18 А / 5.9 мОм, для схем коммутации нагрузки в устройствах заряда/разряда Li-ion аккумуляторных батарей ON Semiconductor MOSFET
N 2 12 - 11 - 5.9 - 18 2 WLCSP-6
BSB012N03LX3 Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 30 - - - 1.8 1.2 180 89 WDSON-2
BSB014N04LX3 Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 2 1.4 180 89 WDSON-2
BSB028N06NN3 Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.8 90 78 WDSON-2
NTLJS3113P Power MOSFET -20 V, -7.7 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -20 67 - - 32 - -5.8 1.9 WDFN6
NTLJS4114N Power MOSFET 30 V, 7.8 A, Cool Single N?Channel, 2x2 mm WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 35.2 - - 20.3 - 6 1.92 WDFN6
NTLJS4149P Power MOSFET -30 V, -5.9 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -30 - - - 43 - -4.5 1.9 WDFN6
NTLJD4116N Power MOSFET 30 V, 4.6 A, Cool Dual N?Channel, 2x2 mm WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
N 2 30 88 - - 47 - 3.7 1.5 WDFN6
NTLJS1102P Power MOSFET ?8 V, ?8.1 A, COOL Single P?Channel, 2x2 mm, WDFN package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -8 - - - 45 25 -6.2 1.9 WDFN6
NTLJD2104P Power MOSFET ?12 V, ?4.3 A, COOL Dual P?Channel, 2x2 mm, WDFN package ON Semiconductor MOSFET
P 2 -12 110 - - 60 - -3.5 1.5 WDFN6
NTLJD3115P Power MOSFET ?20 V, ?4.1 A, Cool Dual P?Channel, 2x2 mm WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
P 2 -20 150 - - 75 - -3.3 1.5 WDFN6
NTLJS2103P Power MOSFET -12 V, -7.7 A, Cool Single P-Channel, 2x2 mm, WDFN Package ON Semiconductor MOSFET
P 1 -12 45 - - 25 - -5.9 1.9 WDFN6
NTTFS4823N Power MOSFET 30 V, 50 A, Single N?Channel, m8FL ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 13.5 8.1 50 32.9 WDFN-8
NTTFS4824N Power MOSFET 30 V, 69 A, Single N?Channel, m8FL ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 5.7 3.6 69 46.3 WDFN-8
NTTFS4821N Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N?Channel, m8FL ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 8.8 5.8 57 38.5 WDFN-8
powerSTEP01 Микросхема функциональной Системы-в-Корпусе (SiP) на базе восьми N-канальных MOSFET транзисторов и программируемого контроллера с интерфейсом SPI STMicroelectronics MOSFET
N 8 - - - - - 21 10 - VFQFPN-8
SSM6J409TU Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) Toshiba MOSFET
P 1 -20 46.5 - 30.2 22.1 - -9.5 1 UF-6
NTLUS4C16N N-канальный MOSFET-транзистор поколения Trench 6 с напряжением сток-исток 30 В ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 40 20 - 13.3 11.4 11.7 1.53 UDFN-6
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая


подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Мероприятия:
XV Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-2015
Международная выставка компонентов
и систем силовой электроники
XI Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА?Урал 2015
Международная специализированная выставка
«Электроника—Урал 2015»
Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих