Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
FSEZ1307 ШИМ-контроллер управления для первичной стороны c интегрированным силовым MOSFET-транзистором Fairchild Semiconductor MOSFET
ШИМ
- 1 700 - - - - 20000 0.5 0.66 SOP-7
BTF3050TE Транзисторные ключи нижнего плеча семейства HITFET™ с функцией защиты Infineon Technologies MOSFET
N 1 5 - - - 100 - 3 - TO-252-5
IPD025N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 90 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.5 90 167 TO-252
IPP040N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 80 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 4 80 107 SuperSO8
IPB057N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 4.9 45 83 TO-263-3
IPD053N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 5.3 45 83 TO-252
IPP060N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 45 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 6 45 83 SuperSO8
BSZ042N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 40 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 4.2 40 69 SON-8
IPB010N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 180 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 0.8 180 300 TO-263-7
IPB014N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 180 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 1.2 180 214 TO-263-7
IPI020N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 120 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2 120 214 TO-262
IPP020N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 120 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2 120 214 SuperSO8
IPI029N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.9 100 136 TO-262
IPB026N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.6 100 136 TO-263-3
BSC028N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.8 100 83 SuperSO8
IPP029N06N Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.9 100 136 SuperSO8
BSC039N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 3.9 100 69 SuperSO8
BSC014N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 1.45 100 156 SuperSO8
BSC016N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 1.6 100 139 SuperSO8
BSZ023N04LS Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 40 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 3.2 2.35 40 69 SON-8
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая


подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Мероприятия:
XV Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-2015
Международная выставка компонентов
и систем силовой электроники
XI Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА?Урал 2015
Международная специализированная выставка
«Электроника—Урал 2015»
Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих