Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
CPC3703C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 4000 4000 4000 4000 4000 0.36 1.6 SOT-89
CPC3720C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 22000 22000 22000 22000 22000 0.13 1.6 SOT-89
CPC5602 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 8000 8000 8000 8000 8000 0.13 1.6 SOT-223-4
CPC3730C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 30000 30000 30000 30000 30000 0.14 1.6 SOT-89
CPC5603 N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 415 14000 14000 14000 14000 14000 0.13 2.5 SOT-223-4
CPC3710C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 250 10000 10000 10000 10000 10000 0.22 1.6 SOT-89
CPC3714C N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения Clare MOSFET
N 1 350 14000 14000 14000 14000 14000 0.24 1.6 SOT-89
2N7002W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 13500 0.115 0.2 SOT-323
DMP2066LSD DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 - - - 29 - -5.8 2 SOP-8L
DMN3052L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 33 26 5.4 1.4 SOT-23-3
VN10LP N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 5000 0.27 0.625 TO-92
DMP3098L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 98 56 -3.8 1.8 SOT-23-3
DMN2104L N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 - - - 42 - 4.3 1.4 SOT-23-3
DMN55D0UT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 50 - - - - - 0.16 0.2 SOT-523
DMP2160U P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -20 92 - - 60 - -3.2 1.4 SOT-23-3
DMN32D2LV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 2200 - - - - 0.4 0.4 SOT-563
DMP3120L P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 120 - -2.8 1.4 SOT-23-3
2N7002DW DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 2 60 - - - - 4400 0.115 0.2 SOT-363
DMP2004DWK DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -20 1700 - - 700 - -0.43 0.25 SOT-363
DMN3030LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
N 1 30 - - - 26.4 15.7 9 2.5 SOP-8L
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 431 следующая


подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Мероприятия:
XV Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-2015
Международная выставка компонентов
и систем силовой электроники
XI Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА?Урал 2015
Международная специализированная выставка
«Электроника—Урал 2015»
Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих