Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BS250F SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -45 - - - - 9000 -0.09 0.33 SOT-23-3
BS250KL P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 60 - - - 5500 3100 0.27 0.8 TO-92
BS250P P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -45 - - - - 14000 -0.23 0.7 TO-92
BS270 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 1800 1200 0.4 0.625 TO-92
BS870 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 60 - - - - 3500 0.25 0.3 SOT-23-3
BSB012N03LX3 Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 30 - - - 1.8 1.2 180 89 WDSON-2
BSB014N04LX3 Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 2 1.4 180 89 WDSON-2
BSB028N06NN3 Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS 3 Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 2.8 90 78 WDSON-2
BSB056N10NN3 G MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток 100 В, выполненный по технологии OptiMOS™ Infineon Technologies MOSFET
N 1 100 - - - - 5.6 83 78 CanPAK M
BSC009NE2LS5 Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 25 - - - 1.25 0.9 100 74 SuperSO8
BSC009NE2LS5I Силовые N-канальные MOSFETS-транзисторы семейства OptiMOS™ 5 с напряжением сток-исток 25 В Infineon Technologies MOSFET
N 1 25 - - - 1.35 0.95 100 74 SuperSO8
BSC010N04LS Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - - 1.3 100 139 SuperSO8
BSC010N04LSI Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 1.4 1.05 100 139 SuperSO8
BSC010NE2LS Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 25 В, 100 А, 1.0 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 25 - - - 1.3 1 100 96 SON-8
BSC011N03LS Силовой MOSFET транзистор семейства OptiMOS Infineon Technologies MOSFET
N 1 30 - - - 1.4 1.1 100 96 SON-8
BSC014N04LS Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 1.9 1.4 100 96 SuperSO8
BSC014N04LSI Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 2 1.45 100 96 SuperSO8
BSC014N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 1.45 100 156 SuperSO8
BSC016N04LS Силовой MOSFET-транзистор серии OptiMOS™3, 40 В, 100 А, 1.6 мОм Infineon Technologies MOSFET
N 1 40 - - - 2.3 1.6 100 139 SON-8
BSC016N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 1.6 100 139 SuperSO8
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 431 следующая


подписка на новости

Подпишись на новости!



радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Мероприятия:
XV Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА-2015
Международная выставка компонентов
и систем силовой электроники
XI Международная специализированная выставка Передовые Технологии Автоматизации. ПТА?Урал 2015
Международная специализированная выставка
«Электроника—Урал 2015»
Международная выставка электронных компонентов, модулей и комплектующих